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KNS5610A 100V 7A MOSFET SOT-89 低內阻現貨

信息來源：本站　日期：2026-05-21　

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KNS5610A 100V 7A MOSFET SOT-89 低內阻現貨

98mΩ超低導通電阻 | 高頻DC-DC專用貼片MOS管

KNS5610A

KNS5610A 7A/100V N溝道MOSFET 參數規格

KNS5610A 7A/100V N溝道MOSFET（SOT-89封裝）

1. 產品概述
KNX5610A采用高密度溝槽工藝，具備優異的導通電阻與柵極電荷。 專為同步降壓轉換器設計，滿足RoHS綠色產品要求。
2. 核心特性
特性項目 說明
RDS(ON)典型值 98mΩ @ VGS=10V
工藝技術 高密度溝槽工藝
柵極電荷 超低柵極電荷，開關損耗低
抗干擾性能 優異的Cdv/dt抑制效果
環保合規 綠色器件，RoHS標準
3. 應用場景
高頻負載點同步降壓轉換器
網絡設備DC-DC電源系統
負載開關電路
KNS5610A 100V/7A MOSFET SOT-89 產品詳情
一、KNS5610A 官方介紹
KNS5610A是KIA原廠高性能N溝道MOSFET，采用溝槽工藝制造， 100V耐壓、7A大電流，超低導通電阻與柵極電荷， 完美解決小體積電源發熱高、損耗大、開關不穩定等痛點。
SOT-89超小封裝，節省PCB空間，適合高密度布局； 寬溫-55~150℃，抗干擾能力強，開關速度快， 適用于同步降壓、DC-DC、網絡設備、負載開關等場景。 產品符合RoHS，可靠性高、一致性好，可直接替代進口競品。
二、KNS5610A 核心優勢
項目 優勢說明
耐壓/電流 100V / 7A，小體積大能力
導通電阻 98mΩ@VGS=10V，發熱更低
開關性能 超低柵極電荷，高頻更穩定
封裝優勢 SOT-89貼片，體積小、易布局
可靠性 寬溫工作，抗干擾能力強
環保認證 RoHS合規，無鉛環保


三、KNS5610A同級平替型號對照表

KNS5610A

品牌 競品型號 封裝 對標參數
Infineon IRLML2803
IRLML6402 		SOT-89 100V N溝道 小功率MOS
ON NTD4960
NTD3055 		SOT-89 100V 低壓小體積MOS
VISHAY Si2310
Si2312 		SOT-89 100V 低功耗 小電流
國產替代 SMK100N7
APM2310
HX100N7 		SOT-89 100V/7A 直接替代型號


四、KNS5610A VS 競品 核心優勢
對比項 KNS5610A 同類競品
導通電阻 98mΩ，更低損耗 普遍120~200mΩ
柵極電荷 超低Qg，開關更快 電荷偏高，損耗大
抗干擾 優異Cdv/dt抑制 常規性能
一致性 原廠晶圓，一致性高 參差不齊
性價比 高可靠、低成本 進口價高、交期不穩
五、型號與封裝
產品型號 封裝 類型 適用場景
KNS5610A SOT-89 N溝道MOSFET 高頻DC?DC、網絡電源、負載開關
六、典型應用領域
高頻同步降壓DC?DC轉換器
網絡設備電源管理系統
便攜式電子負載開關
小型電源模塊、適配器
家電控制、工業低壓控制板
高密度PCB空間受限設備
七、客戶難點與解決方案
客戶痛點 解決方案
電源發熱嚴重、效率低 超低Rds(on)，降低導通損耗
PCB空間小、無法布局 SOT-89小封裝，節省空間
開關干擾大、系統不穩定 低柵電荷+強抗干擾設計
高溫環境易失效 寬溫-55~150℃，高可靠性
進口貨期長、成本高 國產原廠，現貨穩定價優
4. 引腳定義（SOT-89封裝）
引腳號 功能定義
1 Gate（柵極）
2 Drain（漏極）
3 Source（源極）
5. 型號與封裝信息
產品型號 封裝形式 品牌
KNS5610A SOT-89 KIA
6. 絕對最大額定值
參數名稱 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 Vdss - 100 V
柵源電壓 Vgs - 20 V
連續漏極電流 Id Tc=25℃, VGS@10V 7 A
Id Tc=100℃, VGS@10V 5.2 A
Id Ta=25℃, VGS@10V 2 A
Id Ta=100℃, VGS@10V 1.4 A
脈沖漏極電流 Idm - 14 A
功耗 Pd Tc=25℃ 22.7 W
Pd Ta=25℃ 2 W
雪崩電流 Ias - 6 A
工作/存儲溫度 Tj, Tstg - -55~150 ℃
7. 熱特性參數
參數名稱 符號 典型值 最大值 單位
結-殼熱阻 RθJC - 2.6 ℃/W
結-環境熱阻 RθJA - 48 ℃/W
8. 電氣特性（Tj=25℃）
參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 BVdss Vgs=0V, Id=250μA 100 - - V
BVdss溫度系數 ΔBVdss/ΔTj 參考25℃, Id=1mA - 0.098 - V/℃
漏源導通電阻 Rds(on) Vgs=10V, Id=5A - 98 115 mΩ
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=3A - 110 125 mΩ
柵極閾值電壓 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1 1.85 3 V
Vgs(th)溫度系數 ΔVgs(th)/ΔTj Vds=Vgs, Id=250μA - -4.57 - mV/℃
漏源漏電流 Idss Vds=80V, Vgs=0V, Tj=25℃ - - 1 μA
Idss Vds=80V, Vgs=0V, Tj=55℃ - - 5 μA
柵源正向漏電流 Igss Vgs=±20V, Vds=0V - - ±100 nA
正向跨導 gfs Vds=5V, Id=10A - 13 - S
柵極電阻 Rg Vds=0V, Vgs=0V, f=1MHz - 1.8 - Ω
總柵極電荷 Qg Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V - 26.2 - nC
柵源電荷 Qgs Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V - 4.6 - nC
柵漏電荷(Miller) Qgd Vds=80V, Id=10A, Vgs=10V - 5.1 - nC
開通延遲時間 td(on) Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V - 4.2 - ns
上升時間 tr Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V - 8.2 - ns
關斷延遲時間 td(off) Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V - 35.6 - ns
下降時間 tf Vdd=50V, Id=10A, Rg=3.3Ω, Vgs=10V - 9.6 - ns
輸入電容 Ciss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz - 1535 - pF
輸出電容 Coss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz - 60 - pF
反向傳輸電容 Crss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz - 37 - pF
連續源極電流 Is Vd=Vg=0V, 正向電流 - - 7 A
最大脈沖源極電流 Ism - - - 49 A
二極管正向電壓 Vsd Is=1A, Vgs=0V, Tj=25℃ - - 1.3 V
反向恢復時間 trr If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ - 37 - ns
反向恢復電荷 Qrr If=10A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ - 27.3 - nC
9. 典型特性曲線說明
曲線編號 曲線名稱 說明
Fig.1 典型輸出特性曲線 Id與Vds關系，不同Vgs下的導通特性
Fig.2 導通電阻-柵源電壓 Rds(on)隨Vgs變化的趨勢
Fig.3 反向二極管正向特性 Is與Vsd關系，不同結溫對比
Fig.4 柵極電荷特性曲線 Vgs隨Qg變化，不同Vds對比
Fig.5 歸一化Vgs(th)-結溫 閾值電壓隨溫度變化趨勢
Fig.6 歸一化Rds(on)-結溫 導通電阻隨溫度變化趨勢
Fig.7 電容特性曲線 Ciss/Coss/Crss隨Vds變化
Fig.8 安全工作區(SOA) 不同脈寬下的Id-Vds安全邊界
Fig.9 瞬態熱阻抗曲線 歸一化熱響應與脈沖寬度關系
Fig.10 開關時間波形 開通/關斷延遲與上升下降時間波形
Fig.11 柵極電荷波形 Qg測試波形與雪崩能量公式
10. 產品核心優勢
優勢項目 說明
低導通損耗 98mΩ典型Rds(on)，減少發熱
高頻性能優異 超低柵極電荷，開關速度快
抗干擾能力強 優異Cdv/dt抑制，穩定性高
小封裝大電流 SOT-89封裝，節省PCB空間
工業級可靠性 寬溫-55~150℃，適應復雜環境


聯系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）

聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902

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