KCB/KCP/KCM2920A 200V130A MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-22
9mΩ超低內阻 | 三種封裝可選，工業級大功率專用
| 特性項目 | 說明 |
|---|---|
| 工藝技術 | SGT MOSFET溝槽工藝 |
| 導通電阻 | RDS(ON)=9.0mΩ(typ.)@VGS=10V |
| 開關損耗 | 低柵極電荷，降低開關損耗 |
| 體二極管 | 快恢復體二極管，反向恢復快 |
| 環保合規 | 無鉛工藝，符合RoHS標準 |
| DC-DC轉換器 |
| 高頻開關電路 |
| 同步整流電源系統 |
| 產品型號 | 封裝形式 | 類型 | 適用場景 |
|---|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263（貼片） | N溝道MOSFET | 高密度PCB、貼片電源模塊 |
| KCP2920A | TO-220（直插） | N溝道MOSFET | 常規工控、逆變器、通用電源 |
| KCM2920A | TO-247（大功率） | N溝道MOSFET | 大功率設備、儲能、高頻大電流 |
| 參數項目 | 規格值 | 優勢說明 |
|---|---|---|
| 漏源電壓 | 200V | 高壓穩定，耐沖擊不炸管 |
| 連續電流 | 130A | 超大電流，大功率場景專用 |
| 導通電阻 | 9.0mΩ@VGS=10V | 超低內阻，發熱低、效率高 |
| 雪崩能量 | 2000mJ | 高可靠性，抗過載能力強 |
| 體二極管 | 快恢復型 | 反向恢復快，適合高頻電路 |
| 工作溫度 | -55~150℃ | 寬溫工業級，適應惡劣環境 |
四、同級直接競品型號大全
| 封裝 | 品牌 | 競品型號 | 對標參數 |
|---|---|---|---|
| TO-263 | Infineon |
IRFB4310 IRFB4227 |
200V 大電流低內阻MOS |
| TO-263 | VISHAY |
Si4120 SI7136DP |
200V N溝道 貼片大電流 |
| TO-263 | ON |
NTB60N20 NTD4960 |
200V 工業級功率MOS |
| TO-220 | Infineon |
IRF4310 IRL4227 |
200V 直插大功率MOS |
| TO-220 | ST |
STP80N20 STD60N20 |
200V 大電流 直插MOS |
| TO-247 | Infineon |
IRFP4310 IRFP9240 |
200V 超大功率MOS |
| 全封裝 | 國產替代 |
HY2920 CS2920 AP2920 |
200V/130A 通用替代型號 |
| 對比項目 | KIA2920系列 | 行業同類競品 |
|---|---|---|
| 導通電阻 | 9.0mΩ 更低損耗 | 普遍12~25mΩ |
| 雪崩能力 | 2000mJ 高可靠 | 普遍偏低，易炸管 |
| 體二極管 | 快恢復，高頻更穩 | 常規恢復，損耗偏高 |
| 一致性 | 原廠晶圓，一致性強 | 品質參差不齊 |
| 封裝選擇 | TO-263/220/247齊全 | 部分封裝缺貨 |
| 性價比 | 高可靠、低成本 | 進口價高、交期長 |
| 客戶常見痛點 | KIA2920系列解決方案 |
|---|---|
| 大功率電源發熱嚴重 | 9.0mΩ超低內阻，降低發熱 |
| 高頻環境炸管、失效 | 高雪崩+快恢復二極管，更耐用 |
| 設備效率低、溫升快 | 低柵極電荷，開關損耗更低 |
| 封裝不匹配、難布局 | 三種封裝齊全，滿足各類設計 |
| 進口貨期長、成本高 | 國產原廠，現貨穩定、價更優 |
| 高頻逆變器、光伏逆變系統 |
| 大功率DC-DC電源轉換器 |
| 無刷電機驅動、工業控制器 |
| 儲能電源、UPS不間斷電源 |
| 高頻開關電源、同步整流模塊 |
| 電動汽車輔助系統、充電樁 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 產品型號 | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB2920A | TO-263 | KIA |
| KCP2920A | TO-220 | KIA |
| KCM2920A | TO-247 | KIA |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | Vdss | - | 200 | V |
| 柵源電壓 | Vgss | - | ±20 | V |
| 連續漏極電流 | Id | Tc=25℃ | 130 | A |
| Id | Tc=100℃ | 75 | A | |
| 脈沖漏極電流 | Idm | VGS=10V | 440 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | L=10mH | 2000 | mJ |
| 二極管恢復dv/dt | dv/dt | - | 5.0 | V/ns |
| 功耗 | Pd | - | 278 | W |
| 降額系數 | - | 25℃以上 | 2.22 | W/℃ |
| 最高焊接溫度 | TL | 引腳1.6mm處10秒 | 300 | ℃ |
| TPAK | 封裝本體10秒 | 260 | ℃ | |
| 工作/存儲溫度 | Tj,Tstg | - | -55~150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | TO-263/TO-220 | TO-247 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 0.45 | 0.45 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | 62 | 50 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 200 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | Idss | Vds=200V, Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| Idss | Vds=160V, Tj=125℃ | - | - | 100 | μA | |
| 柵源漏電流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導通電阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=35A | - | 9.0 | 10.5 | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 輸入電容 | Ciss | Vgs=0V, Vds=100V, f=1MHz | - | 10686 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 18 | - | pF | |
| 輸出電容 | Coss | - | 392 | - | pF | |
| 總柵極電荷 | Qg | Vdd=100V, Id=55A, Vgs=10V | - | 143 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 46 | - | nC | |
| 柵漏電荷(Miller) | Qgd | - | 25 | - | nC | |
| 開通延遲時間 | td(on) | Vdd=100V, Id=55A, Rg=4.7Ω, Vgs=10V | - | 45 | - | ns |
| 上升時間 | trise | - | 20 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 86 | - | ns | |
| 下降時間 | tfall | - | 16 | - | ns | |
| 連續源極電流 | Isd | PN結二極管電流 | - | - | 110 | A |
| 脈沖源極電流 | Ism | - | - | - | 440 | A |
| 二極管正向電壓 | Vsd | Is=70A, Vgs=0V | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢復時間 | trr | Vgs=0V, If=55A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ | - | 185 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 469 | - | μC |
| 曲線編號 | 曲線名稱 | 說明 |
|---|---|---|
| Figure 1 | On-Region Characteristics | 不同Vgs下的導通特性曲線 |
| Figure 2 | Transfer Characteristics | Id-Vgs關系，不同結溫對比 |
| Figure 3 | Rds(on) vs Id & Vgs | 導通電阻隨電流和柵壓變化 |
| Figure 4 | Rds(on) vs Tj | 歸一化導通電阻-結溫曲線 |
| Figure 5 | Rds(on) vs Vgs | 導通電阻隨柵源電壓變化 |
| Figure 6 | Body-Diode Characteristics | 體二極管正向特性曲線 |
| Figure 7 | Gate-Charge Characteristics | Vgs隨Qg變化的柵極電荷曲線 |
| Figure 8 | Capacitance Characteristics | 輸入/輸出/反向電容-電壓曲線 |
| Figure 9 | SOA曲線 | 最大正向偏置安全工作區 |
| 電路/波形編號 | 名稱 | 用途說明 |
|---|---|---|
| Fig.1.1/1.2 | 二極管恢復dv/dt測試電路 | 測試體二極管恢復特性，dv/dt由Rg控制 |
| Fig.2.1/2.2 | 開關特性測試電路 | 測試開通/關斷延遲、上升/下降時間 |
| Fig.3.1/3.2 | 柵極電荷測試電路 | 測量Qg、Qgs、Qgd參數 |
| Fig.4.1/4.2 | 無鉗位感性開關測試電路 | 測試單脈沖雪崩能量特性 |
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
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