KND/KNP/KNF41100A 1000V2A MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-22
9.6Ω低內阻 | 三種封裝可選，高壓電源專用
| 特性項目 | 說明 |
|---|---|
| 環保合規 | RoHS標準，無鉛工藝 |
| 導通電阻 | RDS(ON)=9.6Ω(typ.)@VGS=10V |
| 開關損耗 | 低柵極電荷，降低開關損耗 |
| 體二極管 | 快恢復體二極管，反向恢復快 |
| 電源適配器（Adaptor） |
| 充電器（Charger） |
| 開關電源待機電源（SMPS Standby） |
| 產品型號 | 封裝 | 類型 | 核心參數 | 適用場景 |
|---|---|---|---|---|
|
KND41100A |
TO-252貼片 | N溝道 MOSFET | 200V 130A 9mΩ | 大功率逆變、DC-DC、電機驅動 |
| KNP41100A | TO-220 直插 | N溝道 MOSFET | 1000V 2A 9.6Ω | 高壓電源、適配器、充電器 |
| KNF41100A | TO-220F 絕緣 | N溝道 MOSFET | 1000V 2A 9.6Ω | 高壓絕緣電源、待機電源、工控 |
| 型號 | 耐壓 | 電流 | 內阻 | 核心優勢 |
|---|---|---|---|---|
| KND41100A | 200V | 130A | 9.0mΩ | 大電流、低發熱、高雪崩、耐炸管 |
| KNP41100A | 1000V | 2A | 9.6Ω | 超高壓、低損耗、適合高壓小電流 |
| KNF41100A | 1000V | 2A | 9.6Ω | 塑封絕緣、抗干擾、安全穩定 |
四、同級直接平替型號
| 型號 | 品牌 | 競品型號 | 對標參數 |
|---|---|---|---|
| KND41100A | Infineon/VISHAY/國產 | IRFB4310、Si4120、HY2920 | 200V 大電流低內阻MOS |
| KNP41100A | Infineon/ST/ON/國產 | IRF830、STK1000V2A、10N10 | 1000V 2A 高壓MOS管 |
| KNF41100A | Infineon/ST/國產 | IRF830NS、FQP10N10、10N10F | 1000V 2A 絕緣塑封MOS |
| 對比項 | KIA系列MOS管 | 同類競品 |
|---|---|---|
| 內阻性能 | 內阻更低，發熱更少 | 內阻偏高，發熱大 |
| 可靠性 | 高雪崩、耐沖擊、不炸管 | 易過流損壞、一致性差 |
| 封裝選擇 | 貼片/直插/絕緣齊全 | 部分封裝缺貨 |
| 性價比 | 原廠穩定、價優 | 進口價高、交期長 |
| 適用范圍 | 大功率+高壓全覆蓋 | 場景單一 |
| 客戶痛點 | 解決方案 |
|---|---|
| 大功率電源發熱嚴重、炸管 | KCB2920A 低內阻+高雪崩 |
| 高壓電源耐壓不足、不穩定 | KNP41100A 1000V超高壓 |
| 電源需要絕緣、抗干擾 | KNF41100A 塑封絕緣設計 |
| PCB空間有限、需要貼片 | KCB2920A TO-263小體積 |
| 進口貨期長、成本高 | 國產原廠，現貨穩定價優 |
| 大功率逆變器、光伏逆變、儲能電源 |
| DC-DC轉換器、電機驅動、工業控制器 |
| 高壓電源、適配器、充電器、待機電源 |
| 開關電源、UPS、工控設備、照明電源 |
| 高密度PCB、絕緣型電源、安全型設備 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 產品型號 | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND41100A | TO-252 | KIA |
| KNP41100A | TO-220 | KIA |
| KNF41100A | TO-220F | KIA |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓（Tj=25℃） | Vdss | 1000 | V |
| 柵源電壓 | Vgss | ±30 | V |
| 連續漏極電流（Tc=25℃） | Id | 2.0 | A |
| 脈沖漏極電流（VGS=10V） | Idm | 8.0 | A |
| 單脈沖雪崩能量（VDD=50V） | EAS | 80 | mJ |
| 功耗 | Pd | 60 | W |
| 最高結溫 | Tjmax | 150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | Tstg | -55~150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 2.08 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | 75 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | Idss | Vds=1000V, Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 柵源漏電流 | Igss | Vgs=±30V, Vds=0V | -100 | - | 100 | nA |
| 漏源導通電阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=1.0A | - | 9.6 | 12 | Ω |
| 柵極閾值電壓 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 輸入電容 | Ciss | Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz | - | 370 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 4.0 | - | pF | |
| 輸出電容 | Coss | - | 40 | - | pF | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDD=500V, Id=2.0A, Vgs=10V | - | 15 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 2.1 | - | nC | |
| 柵漏電荷(Miller) | Qgd | - | 6.0 | - | nC | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=500V, Id=2.0A, Rg=12Ω, Vgs=10V（阻性負載） | - | 8.0 | - | ns |
| 上升時間 | trise | - | 6.0 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 36 | - | ns | |
| 下降時間 | tfall | - | 15 | - | ns | |
| 連續源極電流 | Isd | - | - | - | 2 | A |
| 二極管正向電壓 | Vsd | Is=2.0A, Vgs=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢復時間 | trr | Vgs=0V, If=2.0A, di/dt=-100A/μs, Tj=25℃ | - | 320 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 1.0 | - | uC |
| 曲線編號 | 曲線名稱 | 說明 |
|---|---|---|
| Fig.1/2/3 | 輸出特性曲線 | 不同溫度/電壓下的Id-Vds關系 |
| Fig.4/5 | Rds(on)歸一化曲線 | 導通電阻隨結溫/電流變化 |
| Fig.6 | 最大漏極電流-殼溫 | Id隨Tc升高的衰減曲線 |
| Fig.7 | 輸入導納曲線 | Id隨Vgs變化，不同結溫對比 |
| Fig.8 | 跨導曲線 | Gfs隨Id變化特性 |
| Fig.9 | 體二極管正向特性 | Is隨Vsd變化，不同結溫對比 |
| Fig.10 | 柵極電荷曲線 | Vgs隨Qg變化，不同Vdd對比 |
| Fig.11 | 電容特性曲線 | Ciss/Coss/Crss隨Vds變化 |
| Fig.12 | 瞬態熱阻抗曲線 | 歸一化熱響應與脈沖寬度關系 |
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