KCB3310A/KCY3310A 100V90A MOSFET
信息來源：本站 日期：2026-05-22
5mΩ超低內阻 | 雙封裝可選，大功率電源專用
| 特性項目 | 說明 |
|---|---|
| 工藝技術 | 采用先進SGT溝槽工藝 |
| 導通電阻 | RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V |
| 開關損耗 | 極低開關損耗，高頻效率高 |
| 體二極管 | 快速開關與軟恢復特性 |
| 性能指標 | 低RDS(on)與優異FOM值 |
| 穩定性 | 優異的穩定性與參數一致性 |
| 電源開關電路（Power switching） |
| 硬開關與高頻電路 |
| 不間斷電源（UPS） |
| 低導通電阻大功率電源系統 |
| 產品型號 | 封裝形式 | 類型 | 適用場景 |
|---|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263（貼片） | N溝道MOSFET | 常規大功率、通用電源、逆變器 |
| KCY3310A | DFN5×6（微型超薄） | N溝道MOSFET | 高密度PCB、超薄電源、小型化設備 |
| 參數項目 | 規格值 | 優勢說明 |
|---|---|---|
| 漏源電壓 | 100V | 高壓穩定，耐沖擊不炸管 |
| 連續電流 | 90A | 超大電流，大功率場景專用 |
| 導通電阻 | 5.0mΩ@VGS=10V | 超低內阻，發熱低、效率高 |
| 雪崩能量 | 529mJ | 高可靠性，抗過載能力強 |
| 開關速度 | 低Qg低損耗 | 高頻工作更穩定、溫升更低 |
| 工作溫度 | -55~150℃ | 寬溫工業級，適應惡劣環境 |
四、同級直接競品型號
| 型號 | 封裝 | 品牌 | 競品型號 |
|---|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263 | Infineon / VISHAY / 國產 | IRL3806、IRFB4110、SI7136、HY3310 |
| KCY3310A | DFN5×6 | Infineon / VISHAY / 國產 | BSC010N10LS、SI7136DP、100V06N |
| 對比項目 | KCB/KCY3310A | 行業同類競品 |
|---|---|---|
| 導通電阻 | 5.0mΩ 更低損耗 | 普遍 6~12mΩ |
| 開關性能 | 低Qg，高頻效率更高 | 電荷大，損耗偏高 |
| 封裝選擇 | TO-263 + DFN5×6 齊全 | 微型封裝型號少 |
| 一致性 | 原廠晶圓，一致性強 | 品質參差不齊 |
| 性價比 | 高可靠、低成本 | 進口價高、交期長 |
| 客戶常見痛點 | KCB/KCY3310A 解決方案 |
|---|---|
| 電源發熱嚴重、溫升快 | 5mΩ超低內阻，大幅降低發熱 |
| 高頻工作炸管、不穩定 | 高雪崩+快恢復二極管，更耐用 |
| 設備體積受限、需要超薄 | KCY3310A DFN5×6微型封裝 |
| 效率低、功耗大 | 低柵電荷，開關損耗更低 |
| 進口貨期長、成本高 | 國產原廠，現貨穩定、價更優 |
| 大功率開關電源、DC-DC轉換器 |
| 電機驅動、無刷電機控制器 |
| 高頻逆變、UPS不間斷電源 |
| 超薄電源、高密度PCB模塊 |
| 硬開關電路、低內阻大功率系統 |
| 儲能電源、車載電源、工業設備 |
| 引腳功能 | TO-263引腳號 | DFN5×6引腳號 |
|---|---|---|
| Gate（柵極） | 1 | 4 |
| Drain（漏極） | 2 | 5,6,7,8 |
| Source（源極） | 3 | 1,2,3 |
| 產品型號 | 封裝形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263 | KIA |
| KCX3310A | TO-263/DFN5×6 | KIA |
| KCY3310A | DFN5×6 | KIA |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | TO-263 | DFN5×6 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | Vdss | - | 100 | 100 | V |
| 連續漏極電流 | Id | Tc=25℃ | 90 | 85 | A |
| Tc=100℃ | 57 | 56 | A | ||
| 脈沖漏極電流 | Idm | - | 360 | 340 | A |
| 雪崩能量 | EAS | - | 529 | 529 | mJ |
| 柵源電壓 | Vgs | - | ±20 | ±20 | V |
| 功耗 | Pd | Tc=25℃ | 166 | 90 | W |
| Tc=100℃ | 66.4 | 36 | W | ||
| 工作/存儲溫度 | Tj,Tstg | - | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 條件 | TO-263 | DFN5×6 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 結-環境熱阻 | RθJA | t≤10S | 15 | 20 | ℃/W |
| 穩態 | 60 | 50 | ℃/W | ||
| 結-殼熱阻 | RθJC | 穩態 | 0.75 | 1.38 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 100 | - | - | V |
| 零柵壓漏源電流 | Idss | Vds=100V, Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 柵極閾值電壓 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 2 | 2.8 | 4 | V |
| 柵極漏電流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導通電阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=20A | - | 5.0 | 5.8 | mΩ |
| 柵極電阻 | Rg | F=1MHz, 開路漏極 | - | 0.9 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | Vds=50V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 4600 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 1250 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 43 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | Vdd=50V, Id=20A, Vgs=10V, Rg=2.2Ω | - | 17.6 | - | ns |
| 上升時間 | trise | - | 30.2 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 33.6 | - | ns | |
| 下降時間 | tfall | - | 39.6 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | Vds=50V, Id=20A, Vgs=10V, f=1MHz | - | 66 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 23 | - | nC | |
| 柵漏電荷(Miller) | Qgd | - | 6.6 | - | nC | |
| 二極管正向電壓 | Vsd | Vgs=0V, Is=20A | - | - | 1.3 | V |
| 體二極管連續電流 | Is | - | - | - | 90 | A |
| 反向恢復時間 | trr | If=20A, di/dt=100A/μs | - | 65 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 90 | - | nC |
| 曲線編號 | 曲線名稱 | 說明 |
|---|---|---|
| Figure 1 | 輸出特性曲線 | 不同Vgs下的Id-Vds關系 |
| Figure 2 | 轉移特性曲線 | Id-Vgs關系，不同結溫對比 |
| Figure 3 | 電容特性曲線 | Ciss/Coss/Crss隨Vds變化 |
| Figure 4 | 柵極電荷曲線 | Vgs隨Qg變化特性 |
| Figure 5 | Rds(on) vs Id/Vgs | 導通電阻隨電流和柵壓變化 |
| Figure 6 | 歸一化Rds(on)-結溫 | 導通電阻隨溫度變化趨勢 |
| Figure 7 | 漏極電流-殼溫曲線 | Id隨Tc升高的衰減特性 |
| Figure 8 | 安全工作區(SOA)曲線 | 不同脈寬下的Id-Vds安全區 |
| Figure 9 | 瞬態熱阻抗曲線 | TO-263/DFN5×6熱響應對比 |
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