KNP2404N 40V/190A TO-220 4mΩ低內阻 可替代IRF3803
信息來源：本站 日期：2026-05-25
怕炸管？KNP2404N 40V大電流MOSFET 低損耗不發燙 直插TO-220
品牌：KIA（KMOS Semiconductor）| 封裝：TO-220 | 類型：N-Channel MOSFET
| 項目 | 參數說明 |
|---|---|
| RDS(ON) | 典型值4mΩ @ VGS=10V |
| 工藝技術 | 專有新型溝槽工藝 |
| 優勢特性 | 低柵極電荷，降低開關損耗 |
| 內置二極管 | 快恢復體二極管 |
| 應用場景 |
|---|
| DC-DC 轉換器 |
| DC-DC 逆變器 |
| 開關電源（Power Supply） |
KNP2404N N溝道功率MOSFET（TO-220）官方介紹
| 優勢項目 | 賣點說明 |
|---|---|
| 超低內阻 | 10V驅動下，典型導通電阻僅4mΩ |
| 超大電流 | 連續漏極電流190A，脈沖電流可達480A |
| 高效低損耗 | 柵極電荷低，開關速度快，系統效率更高 |
| 高可靠性 | 內置快恢復二極管，雪崩能量達1200mJ |
| 通用封裝 | TO-220直插封裝，兼容主流設計，易替換 |
| 品牌 | 競品型號 | 規格匹配 | 封裝 |
|---|---|---|---|
| Infineon | IRL3803、IRF3803 | 40V N溝道 | TO-220 |
| VISHAY | SI4800、SI7800 | 40V N溝道 | TO-220 |
| ON | NTD4800、NTD5800 | 40V N溝道 | TO-220 |
| TI | CSD18537Q5B | 40V N溝道 | TO-220 |
| FAIRCHILD | FDB3803、FQP3803 | 40V N溝道 | TO-220 |
| 華微電子 | HM40N190、40N180 | 40V N溝道 | TO-220 |
| 新潔能 | NCEP40N18、NCE40H18 | 40V N溝道 | TO-220 |
| 揚杰科技 | YJQ40N190、40N180 | 40V N溝道 | TO-220 |
| 型號 | 耐壓 | 電流 | 導通電阻 | 封裝 |
|---|---|---|---|---|
| KNP2404N | 40V | 190A | 4mΩ(典型) | TO-220 |
| IRF3803 | 40V | 190A | 4.5mΩ(典型) | TO-220 |
| SI4800 | 40V | 180A | 5.0mΩ(典型) | TO-220 |
| NTD4800 | 40V | 180A | 4.8mΩ(典型) | TO-220 |
| FDB3803 | 40V | 190A | 4.6mΩ(典型) | TO-220 |
| DC-DC電源轉換器 |
| 高頻開關電源系統 |
| 工業逆變器設備 |
| 電機驅動與控制模塊 |
| 大功率LED驅動電源 |
| 電池保護與充放電模塊 |
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 40 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 190 | A |
| 導通電阻 | RDS(ON) | 4 | mΩ |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 耗散功率 | PD | 333 | W |
| 工作溫度 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 封裝形式 | - | TO-220 | - |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP2404N | TO-220 | KIA |
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 40 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續漏極電流（Tc=25℃） | ID | 190 | A |
| 連續漏極電流（Tc=100℃） | ID | 80 | A |
| 脈沖漏極電流（VGS=10V） | IDM | 480 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1200 | mJ |
| 二極管恢復峰值dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns |
| 耗散功率（Tc=25℃） | PD | 333 | W |
| 25℃以上降額系數 | PD | 2 | W/℃ |
| 焊接引腳最高溫度（10s） | TL | 300 | ℃ |
| 封裝本體焊接溫度（10s） | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作/存儲溫度范圍 | TJ&TSTG | -55~150 | ℃ |
| 參數名稱 | 符號 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 0.45 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | 62 | ℃/W |
| 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 參數值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 關斷特性 | ||||
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 40（min） | V |
| 漏源漏電流 IDSS | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | ≤1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=125℃ | ≤100 | uA | ||
| 柵源漏電流 IGSS | IGSS | VGS=+20V, VDS=0V | ≤100 | nA |
| VGS=-20V, VDS=0V | ≥-100 | nA | ||
| 導通特性 | ||||
| 導通電阻 RDS(ON) | RDS(ON) | VGS=10V, ID=80A | 4（typ）/5（max） | mΩ |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 2~4 | V |
| 動態特性（f=1.0MHz） | ||||
| 輸入電容 Ciss | Ciss | VGS=0V, VDS=25V | 3850（typ） | pF |
| 輸出電容 Coss | Coss | VGS=0V, VDS=25V | 1750（typ） | pF |
| 反向傳輸電容 Crss | Crss | VGS=0V, VDS=25V | 420（typ） | pF |
| 柵極串聯電阻 | Rg | f=1.0MHz | 1.5（typ） | Ω |
| 總柵極電荷 Qg | Qg | VDD=20V, ID=80A, VGS=0→10V | 97（typ） | nC |
| 柵源電荷 Qgs | Qgs | 同上 | 18（typ） | nC |
| 柵漏電荷 Qgd | Qgd | 同上 | 37（typ） | nC |
| 開關特性（VDD=20V, ID=50A, VGS=10V, RG=10Ω） | ||||
| 開通延遲時間 | td(ON) | 同上 | 32（typ） | ns |
| 上升時間 trise | trise | 同上 | 90（typ） | ns |
| 關斷延遲時間 | td(OFF) | 同上 | 100（typ） | ns |
| 下降時間 tfall | tfall | 同上 | 72（typ） | ns |
| 體二極管特性 | ||||
| 連續源極電流 | ISD | 集成PN二極管 | 190（max） | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | 同上 | 480（max） | A |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS=80A, VGS=0V | ≤1.3 | V |
| 反向恢復時間 trr | trr | VGS=0V, IF=80A, diF/dt=100A/us | 76（typ） | ns |
| 反向恢復電荷 Qrr | Qrr | 同上 | 35（typ） | nC |
注：以上參數均來自KIA官方規格書，使用時請以原廠數據手冊為準。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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