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KIA50N03CD|30V50A 貼片 MOS 替代 NCE3050

信息來源：本站　日期：2026-06-05　

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KIA50N03CD|30V50A 貼片 MOS 替代 NCE3050

KIA 原廠現(xiàn)貨 30V50A，引腳兼容 NCE3050，降本替換進(jìn)口 MOS

KIA50N03CD

KIA50N03CD，50N03 貼片 MOS，30V50A MOS，TO252 MOS 管，可易亞 MOS 管

一、KIA50N03CD（TO-252）產(chǎn)品核心參數(shù)
產(chǎn)品型號 KIA50N03CD 封裝規(guī)格 TO-252(DPAK貼片)
溝道類型 N溝道增強型MOSFET 耐壓Vdss 30V
額定電流Id 50A(25℃) 典型Rds(on) 6.5mΩ@Vgs=10V
最大功率Pd 60W 柵極閾值Vgs(th) 1.5~3.0V
二、KIA50N03CD同參數(shù)平替替代型號匯總（可直接替換對標(biāo)）
競品品牌 競品料號 關(guān)鍵參數(shù) 替換說明
NCE新潔能 NCE3050K 30V/50A/TO252 市面主流競品，引腳通用直替
MDD辰達(dá) MDD50N03D 30V/50A/6.5mΩ 國產(chǎn)同規(guī)格對標(biāo)款
飛虹FHD FHD70N03C 30V/70A/TO252 余量更大，升級替換選型
GOFORD谷峰 GOFORD50N03 30V/50A/5.9mΩ 性價比競品，BOM兼容
英飛凌 IPD50N03S2-07 30V/50A進(jìn)口原廠 進(jìn)口對標(biāo)，降本優(yōu)選國產(chǎn)替換
富海微HL HL50N03 30V/50A TO252 通用國產(chǎn)競品，現(xiàn)貨充足
三、產(chǎn)品官網(wǎng)官宣KIA50N03CD介紹（分痛點/優(yōu)勢/應(yīng)用）
采購?fù)袋c 1.競品MOS導(dǎo)通內(nèi)阻大，整機(jī)發(fā)熱嚴(yán)重、效率偏低； 2.進(jìn)口料缺貨漲價、交期不穩(wěn)，成本不可控； 3.同規(guī)格器件參數(shù)虛標(biāo)，大電流負(fù)載易炸管。
產(chǎn)品核心賣點 1.原廠溝槽工藝，低Rds(on)，減少發(fā)熱、降低散熱成本； 2.足流足壓50A/30V，雪崩耐量高，負(fù)載穩(wěn)定性強； 3.TO252標(biāo)準(zhǔn)引腳，兼容NCE3050等競品，免改PCB直替； 4.KIA原廠常備現(xiàn)貨，批量價優(yōu)，長期穩(wěn)定供貨。
應(yīng)用領(lǐng)域 小家電主控板、DC-DC開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、 鋰電池保護(hù)板、LED驅(qū)動電源、車載小電源。
四、SEO簡短導(dǎo)購文案（產(chǎn)品詳情頁用）
短宣傳語1 KIA50N03CD替代NCE3050，低內(nèi)阻省電，現(xiàn)貨直發(fā)
短宣傳語2 TO252貼片MOS管，50A30V，小家電電源優(yōu)選器件
短宣傳語3 國產(chǎn)替代進(jìn)口50N03，足參數(shù)抗沖擊，批量可議價

五、KIA50N03CD 核心賣點

賣點 優(yōu)勢說明
超低內(nèi)阻 Rds(on)僅6.5mΩ，發(fā)熱小
高速開關(guān) 開關(guān)速度快，系統(tǒng)效率更高
雪崩耐量 全檢雪崩，可靠性更高
寬溫穩(wěn)定 -55~150℃，適應(yīng)惡劣環(huán)境
直接替代 引腳兼容，免改板直接替換
成本優(yōu)勢 國產(chǎn)原廠，性價比更高

六、KIA50N03CD 典型應(yīng)用

應(yīng)用分類 適用產(chǎn)品
電源管理 開關(guān)電源、適配器、快充
負(fù)載開關(guān) 電池保護(hù)、電源分配
電機(jī)驅(qū)動 小風(fēng)扇、玩具、小型馬達(dá)
通信設(shè)備 機(jī)頂盒、路由器、模塊電源
消費電子 充電器、移動電源、小家電

七、產(chǎn)品基礎(chǔ)信息｜KIA50N03CD（絲印50N03C）

KIA50N03CD

項目 參數(shù)詳情
產(chǎn)品品類 N-CHANNEL N溝道功率MOSFET
原廠料號 KIA50N03CD，絲印型號：50N03C
封裝規(guī)格 TO-252；引腳：1-G、2-D、3-S，內(nèi)置體二極管
品牌廠商 KIA可易亞半導(dǎo)體

八、產(chǎn)品特性與應(yīng)用領(lǐng)域

分類 明細(xì)內(nèi)容
產(chǎn)品核心特點 1.Rds(on)典型6.5mΩ@VGS=10V；低導(dǎo)通內(nèi)阻
2.低Crss反向傳輸電容；高速開關(guān)特性
3.全檢雪崩耐壓；優(yōu)異dv/dt抗沖擊性能
應(yīng)用場景 PWM開關(guān)電路、電源管理IC、負(fù)載開關(guān)模塊

九、極限最大額定參數(shù)（Tc=25℃，無備注默認(rèn)25℃）

參數(shù)名稱 符號 額定值 單位 備注條件
漏源擊穿電壓 Vdss 30 V 常規(guī)耐壓額定值
25℃連續(xù)漏極電流 Id 40 A Tc=25℃殼體溫度
100℃連續(xù)漏極電流 Id 24 A Tc=100℃殼體溫度
脈沖峰值漏極電流 Idm 120 A 脈沖受結(jié)溫限制
柵源額定電壓 Vgs ±20 V 常態(tài)驅(qū)動電壓范圍
單次雪崩耐量 Eas 121 mJ 單脈沖雪崩能量
重復(fù)雪崩耐量 Ear 25 mJ 周期性雪崩負(fù)載
二極管臨界電壓變化率 dv/dt 5 V/ns 體二極管dv/dt參數(shù)
25℃耗散功率 Pd 36 W Tc=25℃
結(jié)溫&存儲溫度 Tj/Tstg -55~+150 ℃ 芯片工作與倉儲溫度
引腳極限焊溫 Tl 300 ℃ 距外殼1/8英寸，焊接5s

十、熱學(xué)特性參數(shù)

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)值 單位
芯片結(jié)到外殼熱阻 RθJC 3.47 ℃/W

十一、靜態(tài)電氣參數(shù)（Tc=25℃，無標(biāo)注默認(rèn)25℃）

參數(shù)名稱 符號 Min Typ Max 單位 測試條件
漏源擊穿電壓 BVdss 30 - - V Vgs=0V,Id=250μA
常溫漏源漏電流 Idss - - 1 uA Vds=30V,Vgs=0V
125℃漏源漏電流 Idss - - 10 uA Vds=24V,Tc=125℃
柵源漏電流 Igss - - ±100 nA Vgs=±20V,Vds=0V
柵極開啟閾值電壓 Vgs(th) 1.1 1.6 2.2 V Vds=Vgs,Id=250uA
10V導(dǎo)通內(nèi)阻 Rds(on) - 6.5 8.5 mΩ Vgs=10V,Id=15A
4.5V導(dǎo)通內(nèi)阻 Rds(on) - 10 13 mΩ Vgs=4.5V,Id=15A
體二極管連續(xù)正向電流 Is - - 40 A 源漏正向連續(xù)電流
體二極管脈沖電流 Ism - - 120 A 源漏正向脈沖電流
體二極管正向壓降 Vsd - 1.2 - V Isd=15A,Vgs=0V,Tj=25℃

十二、電容&動態(tài)開關(guān)參數(shù)（Tc=25℃）

參數(shù)名稱 符號 Typ值 單位 測試條件
輸入電容 Ciss 1271 pF Vds=15V,Vgs=0V,f=1MHz
輸出電容 Coss 130 pF
反向傳輸電容 Crss 112 pF
開通延遲時間 td(on) 13 ns Vgs=10V,Vds=15V,Rg=3Ω,Id=15A
電壓上升時間 tr 19 ns
關(guān)斷延遲時間 td(off) 27 ns
下降時間 tf 20 ns
總柵電荷(10V) Qg 21 nC Vds=15V,Id=15A,Vgs=10V
柵源電荷 Qgs 4.5 nC
柵漏電荷 Qgd 3.2 nC
二極管反向恢復(fù)時間 trr 20 ns If=15A,di/dt=100A/μs
反向恢復(fù)電荷 Qrr 23 nC

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519（技術(shù)群，也可以加這個qq）

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

KIA50N03CD

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