KND3203C 30V/100A TO-252 N 溝道 MOSFET | 低內阻功率管
信息來源：本站 日期：2026-06-11
解決 MOS 管發熱、損耗高問題 | KND3203C 低損耗方案
KND3203C, KND3203C MOSFET, KND3203C 30V 100A, KND3203C TO-252
| 項目 | 說明 |
|---|---|
| RDS(ON) | 典型值3.2mΩ @ VGS=10V |
| 工藝技術 | 采用CRM(CQ)先進溝槽MOS工藝 |
| 核心優勢 | 極低導通電阻、優異FOM（Qg×Rds(on)） |
| 可靠性 | 符合JEDEC標準認證 |
| 序號 | 應用場景 |
|---|---|
| 1 | 電機控制與驅動 |
| 2 | 電池管理系統 |
| 3 | UPS不間斷電源 |
| 引腳號 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| KND3203C型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3203C | TO-252 | KIA |
| 參數 | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | - | 30 | V |
| 連續漏極電流 | ID | TC=25℃（硅極限） | 100 | A |
| TC=25℃（封裝極限） | 80 | A | ||
| TC=100℃（硅極限） | 72 | A | ||
| 脈沖漏極電流 | IDP | TC=25℃ | 320 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | - | 248 | mJ |
| 柵源電壓 | VGS | - | ±20 | V |
| 功耗 | PD | TC=25℃ | 92 | W |
| 結溫/存儲溫度 | TJ,TSTG | - | -55~150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-環境熱阻 | RθJA | 105 | ℃/W |
| 結-殼熱阻 | RθJC | 1.35 | ℃/W |
| 參數 | 符號 | 測試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,IDS=250μA | 30 | - | - | V |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 0.9 | 1.3 | 2.5 | V |
| 零柵壓漏電流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V,TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| VDS=24V,VGS=0V,TJ=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=20V,VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=30A,TJ=25℃ | - | 3.2 | 4.0 | mΩ |
| VGS=4.5V,ID=15A | - | 4.7 | 8.0 | mΩ | ||
| 正向跨導 | gfs | VDS=5V,ID=15A | - | 20 | - | S |
| 輸入電容 | CISS | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 3100 | - | pF |
| 輸出電容 | COSS | - | 340 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | CRSS | - | 300 | - | pF | |
| 開通延遲時間 | td(on) | VDD=15V,ID=15A,RG=3.3Ω,VGS=10V | - | 20 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 44 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 53 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 22 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=25V,VGS=10V,ID=20A | - | 68 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 7.5 | - | nC | |
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 21 | - | nC | |
| 柵極電阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz | - | 1.5 | - | Ω |
| 體二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V,ISD=30A | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢復時間 | trr | IF=30A,di/dt=100A/μs | - | 25 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 15 | - | nC |
注：1) 脈沖測試：脈寬≤300μs，占空比≤2%；2) EAS測試條件：VDD=25V,VGS=10V,L=0.5mH
| 圖號 | 曲線內容 |
|---|---|
| 圖1 | 輸出特性（ID vs VDS，不同VGS） |
| 圖2 | 傳輸特性（ID vs VGS，不同溫度） |
| 圖3 | RDS(ON) vs ID（不同VGS） |
| 圖4 | RDS(ON) vs VGS（ID=20A） |
| 圖5 | RDS(ON) vs 結溫（歸一化） |
| 圖6 | 電容特性（CISS/COSS/CRSS vs VDS） |
| 圖7 | 柵極電荷特性（VGS vs Qg） |
| 圖8 | 體二極管正向特性（IF vs VSD，不同溫度） |
| 圖9 | 功耗 vs 殼溫 |
| 圖10 | 連續漏極電流降額 vs 殼溫 |
| 圖11 | 安全工作區（SOA） |
| 圖12 | 瞬態熱阻抗 vs 脈沖持續時間 |
| 電路類型 | 測試項目 |
|---|---|
| 輸出特性測試電路 | ID vs VDS曲線 |
| 傳輸特性測試電路 | ID vs VGS曲線 |
| 柵極電荷測試電路 | Qg/Qgs/Qgd |
| 電容特性測試電路 | CISS/COSS/CRSS |
| 產品型號 | 封裝 | 器件類型 | 核心參數 |
|---|---|---|---|
| KND3203C | TO-252 | N溝道MOSFET | 30V/100A，典型Rds(on) 3.2mΩ |
| 競品型號 | 品牌 | 電氣參數 | 產品特點 |
|---|---|---|---|
| NCE30100 | NCE | 30V/100A | 市面流通量大，通用型功率MOS管 |
| AOD403 | AOS | 30V/100A | 開關性能均衡，適配多類電源電路 |
| IRLR7843 | IR | 30V/98A | 經典老牌型號，運行穩定性出色 |
| WST30100 | Winsok | 30V/100A | 大電流設計，主打工業供電場景 |
| SMB30100 | SM | 30V/100A | 合規認證齊全，適合批量量產項目 |
| 分類 | 詳情介紹 |
|---|---|
| 整體概述 | KND3203C為TO-252封裝N溝道MOS管，30V/100A大功率規格。 |
| 工藝性能 | 采用先進溝槽MOS工藝，FOM參數優異，綜合性能突出。 |
| 導通特性 | 導通電阻低至3.2mΩ，導通損耗小，有效降低設備發熱。 |
| 開關表現 | 電容參數優化，開關延時短，高頻工況運行穩定可靠。 |
| 耐受能力 | 雪崩能量充足，抗沖擊電流強，適配復雜電氣環境。 |
| 合規品質 | 遵循JEDEC標準認證，品質穩定，滿足量產使用要求。 |
| 應用領域 | 場景說明 |
|---|---|
| 電機驅動電路 | 大電流承載能力強，適配各類低壓電機控制方案。 |
| 電池管理系統 | 損耗低、穩定性高，保障電池組安全穩定運行。 |
| UPS不間斷電源 | 抗干擾、耐沖擊，適合后備電源長期連續工作。 |
| 工業控制電源 | 參數余量充足，可應對工業場景多變負載工況。 |
| 大功率負載開關 | 通斷響應迅速，適合大電流回路通斷控制單元。 |
| 對比維度 | 詳情說明 |
|---|---|
| 導通損耗 | 低導通電阻設計，相比競品發熱更少，電能利用率更高。 |
| 綜合工藝 | 先進溝槽工藝加持，FOM性能優于同規格普通MOS管。 |
| 抗沖擊能力 | 雪崩能量參數優秀，異常工況耐受更強，使用壽命更長。 |
| 封裝兼容 | 標準TO-252引腳定義，可直接替換市面主流同型號器件。 |
| 供貨與性價比 | 貨源持續穩定，品質統一，適配大批量采購與生產。 |
| 用途 | 簡要介紹 |
|---|---|
| 簡介1 | KND3203C 30V100A MOS管，低損耗大功率TO-252器件 |
| 簡介2 | 溝槽工藝MOSFET，適配電機驅動、UPS、電池管理系統 |
| 簡介3 | 高可靠大電流開關管，同規格競品優質替代選型 |
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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