雙MOS管負(fù)載開關(guān)電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-03
具有反向電流保護(hù)的共漏極負(fù)載開關(guān)，共漏雙NMOS
阻斷反向電流的常見方法是使用二極管。但是使用MOSFET負(fù)載開關(guān)可以更有效地實(shí)現(xiàn)該功能。為了實(shí)現(xiàn)兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯(lián)。如圖，在這種情況下，如果不是兩個FET都打開，那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這種方法允許創(chuàng)建兩種反向驅(qū)動保護(hù)負(fù)載開關(guān)的替代拓?fù)?，背靠背連接漏極或源極，稱為共漏極或共源極。
圖為共漏極雙NMOS高邊負(fù)載開關(guān)，與單NMOS高邊負(fù)載開關(guān)一樣，需要有高于Vin的HV_Ctrl驅(qū)動。
圖為共漏極雙PMOS高邊負(fù)載開關(guān)，與單PMOS高邊負(fù)載開關(guān)一樣，Ctrl端需要可以達(dá)到接近等于或高于Vin的電平，若不能直接施加，則需要增加一個三極管或者M(jìn)OS管驅(qū)動G極。
具有反向電流保護(hù)的共源極負(fù)載開關(guān)，共源雙NMOS
共源極拓?fù)湫枰L問MOSFET之間的源極連接，G極必須在MOS開啟保持電位高于S極，見圖。因?yàn)楣苍礃O可能會浮動，如果在沒有加偏置電阻鉗固電位差的情況下，兩個NMOS均無法開啟。因?yàn)镃trl處的電壓不低，鉗固電阻可以盡量往高值取，比如1MΩ。
圖為共源極雙NMOS高邊負(fù)載開關(guān)，與單NMOS高邊負(fù)載開關(guān)一樣，需要有高于Vin的HV_Ctrl驅(qū)動。
圖為共源極雙PMOS高邊負(fù)載開關(guān)，與單PMOS高邊負(fù)載開關(guān)一樣，Ctrl端需要可以達(dá)到接近等于或高于Vin的電平，若不能直接施加，則需要像上節(jié)一樣增加一個三極管或者M(jìn)OS管驅(qū)動G極。
選型和使用注意
因?yàn)閮H限于使用在高邊開關(guān)場景，從設(shè)計(jì)復(fù)雜度上不建議使用NMOS，建議使用雙PMOS共漏或共源設(shè)計(jì)，相關(guān)計(jì)算和單PMOS負(fù)載開關(guān)相似。需要注意的是，兩個MOS盡量需要保持型號相同，如果選用的兩個不一樣，可能會因?yàn)橐恢滦圆畹脑驅(qū)е聝蓚€MOS關(guān)閉時間不一致或者開啟關(guān)閉時產(chǎn)生振蕩。
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