?nce6050ka參數(shù),50n06場效應管現(xiàn)貨,KIA50N06BD-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-04-14
漏源擊穿電壓（Vdss）：60V
連續(xù)漏極電流（Id）：50A
漏源導通電阻（Rds(on)）：典型值小于20mΩ，部分測試條件下可低至13.8mΩ
最大功率耗散（Pd）：85W
柵源極閾值電壓（Vgs（th））：2.5V（測試條件ld=250uA）
柵極電荷量（Qg）：50nC
輸入電容（Ciss）：2.05nF
nce6050ka采用TO-252封裝，廣泛應用于電源管理及電機控制領域。
原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KIA50N06BD場效應管是nce6050ka同規(guī)格、同封裝、可直接替換的型號，具有參數(shù)均衡、性價比高、國內(nèi)貨源充足等優(yōu)勢。
KIA50N06BD是一款N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)為漏源電壓60V、連續(xù)漏極電流50A，采用TO-252封裝，導通電阻10.5mΩ，主要用于電動車控制器、電源、電機驅(qū)動、逆變器等應用場景。
KIA50N06BD采用先進的溝槽技術制造，具有低功耗、低內(nèi)阻，導通損耗小、溫升低，低柵極電荷（Qg），開關速度快、效率高；高雪崩電流，能夠承受較高的電壓脈沖，在應用中高效穩(wěn)定可靠；國內(nèi)原廠穩(wěn)定供貨，通用性強，性價比高，適合消費電子、電源等。
詳細參數(shù)：
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
導通電阻：10.5mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：250A
單脈沖雪崩能量：120MJ
功率耗散：88W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：50nC
輸入電容：2060PF
輸出電容：755PF
反向傳輸電容：375PF
開通延遲時間：14nS
關斷延遲時間：20nS
上升時間：13ns
下降時間：7.5ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
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