11n40,11n40c參數(shù),400v11a場效應(yīng)管,KNF6140S批發(fā)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-04-14
最大漏源電壓：400V
最大連續(xù)漏極電流：10.5A
最大導(dǎo)通電阻：0.53Ω（典型值）
11n40采用TO-220或TO-220F封裝，用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用。
11n40c場效應(yīng)管參數(shù) 1:1 完全匹配，替代首選型號KNF6140S是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用平面條紋和DMOS技術(shù)制造，與11n40c參數(shù)、封裝、特性完全一致，國內(nèi)優(yōu)質(zhì)原廠現(xiàn)貨批發(fā)，貨源穩(wěn)定。
KNF6140S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω@10V，中高壓下低損耗、高效率；具有低柵極電荷 (Qg)，開關(guān)速度快，適合高頻電路；100% 雪崩測試，抗沖擊能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定可靠；適用于AC-DC 開關(guān)電源、適配器、LED 驅(qū)動(dòng)、PFC 電路、電子鎮(zhèn)流器、繼電器驅(qū)動(dòng)；封裝形式：TO-220F，全塑封封裝。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：400V
漏極電流：11A
導(dǎo)通電阻：0.53Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：44A
單脈沖雪崩能量：365MJ
功率耗散：40.2W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15.7nC
輸入電容：980PF
輸出電容：140PF
反向傳輸電容：2.6PF
開通延遲時(shí)間：33.5nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：83nS
上升時(shí)間：31.5ns
下降時(shí)間：56ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
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