KNP2912A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極...KNP2912A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；高密...
正接時，會先經(jīng)過Q1的體二極管，再經(jīng)過兩個電阻后，使PMOS導(dǎo)通。反接時，由于P...正接時，會先經(jīng)過Q1的體二極管，再經(jīng)過兩個電阻后，使PMOS導(dǎo)通。反接時，由于PMOS無法導(dǎo)通，也就達(dá)到了保護(hù)電路的目的。
輸入端正接時（上正下負(fù)），由于MOSFET存在體二極管，所以上電初始階段S端被拉...輸入端正接時（上正下負(fù)），由于MOSFET存在體二極管，所以上電初始階段S端被拉低，R1和R2分壓，其中R2上分得的電壓為MOSFET提供偏置使其DS導(dǎo)通，此后DS就像開關(guān)一...
KCT1808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流240A，采用采用先進(jìn)SGT技術(shù)制造，極...KCT1808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流240A，采用采用先進(jìn)SGT技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.25mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有優(yōu)異柵極電...
升壓PFC采用了單個低側(cè)MOSFET、一個電感器和一個二極管。為了實現(xiàn)高效的交流/直...升壓PFC采用了單個低側(cè)MOSFET、一個電感器和一個二極管。為了實現(xiàn)高效的交流/直流轉(zhuǎn)換，MOSFET柵極驅(qū)動器必須滿足特定的要求才能有效驅(qū)動MOSFET。這些驅(qū)動器的一些...
輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區(qū)，IC為放大電流也為PNP三...輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區(qū)，IC為放大電流也為PNP三極管Q2的基極電流，通過對IC電流的控制，可使Q2處于飽和狀態(tài)并以IE的飽和電流向電容...
