KNF6450A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用...KNF6450A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，?低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.40Ω，低柵極電荷，最小化開(kāi)關(guān)損耗，穩(wěn)定可靠；快速...
當(dāng)開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí)，電流經(jīng)過(guò)S1、電感L1，向負(fù)載供電，流向電源的負(fù)極，供電的同時(shí)...當(dāng)開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí)，電流經(jīng)過(guò)S1、電感L1，向負(fù)載供電，流向電源的負(fù)極，供電的同時(shí)，也在給電感充電，由于D1二極管的單向?qū)щ娦?，此時(shí)二極管D1不會(huì)工作。
使用兩個(gè)MOS管（一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS）構(gòu)建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的...使用兩個(gè)MOS管（一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS）構(gòu)建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的漏極，NMOS的源極接地。當(dāng)電源正向供電時(shí)，PMOS導(dǎo)通，NMOS截止；反向時(shí)，PMOS截止，...
KNM48150A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，低...KNM48150A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.8Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有低...
當(dāng)輸入電壓Ui接通電源后，若晶體管Q2的基極電壓高于發(fā)射集電壓，則Q2將導(dǎo)通，進(jìn)...當(dāng)輸入電壓Ui接通電源后，若晶體管Q2的基極電壓高于發(fā)射集電壓，則Q2將導(dǎo)通，進(jìn)而導(dǎo)致Q1的基極電壓低于發(fā)射集電壓，使Q1也導(dǎo)通，此時(shí)輸出電壓Uo與輸入電壓Ui相等。...
Buck（降壓型）拓?fù)洌? 核心功能是將輸入的高電壓轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓（例如1...Buck（降壓型）拓?fù)洌? 核心功能是將輸入的高電壓轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓（例如12V降至5V）。 工作原理是通過(guò)開(kāi)關(guān)管的通斷控制，將輸入電壓“斬波”后經(jīng)電感濾波輸...
