原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KIA5N50HD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，用先進(jìn)的溝槽技...原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KIA5N50HD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，用先進(jìn)的溝槽技術(shù)生產(chǎn)，低導(dǎo)通電阻RDS(導(dǎo)通) 1.0Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗，提高...
DIP（雙列直插式封裝） 特點(diǎn)：引腳從封裝兩側(cè)引出，標(biāo)準(zhǔn)引腳間距為2.54毫米，...DIP（雙列直插式封裝） 特點(diǎn)：引腳從封裝兩側(cè)引出，標(biāo)準(zhǔn)引腳間距為2.54毫米，通常采用通孔插裝技術(shù)焊接至PCB。 應(yīng)用：早期廣泛用于微處理器、存儲(chǔ)器等，現(xiàn)仍用于...
TO-262封裝常用于功率半導(dǎo)體器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安裝（Through-Hole）...TO-262封裝常用于功率半導(dǎo)體器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安裝（Through-Hole）封裝形式，屬于I2PAK（Improved I2PAK）系列，具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性，適...
原廠優(yōu)質(zhì)P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進(jìn)的溝...原廠優(yōu)質(zhì)P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)生產(chǎn)，極低導(dǎo)通電阻RDS(導(dǎo)通) 45mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗，提供...
體積：TO-247在長(zhǎng)度和寬度上明顯大于TO-3P，但TO-3P更厚實(shí)（金屬外殼）。 散熱...體積：TO-247在長(zhǎng)度和寬度上明顯大于TO-3P，但TO-3P更厚實(shí)（金屬外殼）。 散熱方式：TO-247依賴外部散熱器；TO-3P通過(guò)金屬殼直接散熱。 應(yīng)用場(chǎng)景：兩者均用于大...
1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設(shè)計(jì)。 2.本體長(zhǎng)度：15.8-16.0mm...1.引腳間距：5.45mm（中心距），適用于三引腳設(shè)計(jì)。 2.本體長(zhǎng)度：15.8-16.0mm（不含引腳）。 3.本體寬度：16.0mm（僅器件主體）。20.2-20.4mm（含引腳輪廓）。高...
