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信息來源:本站 日期:2026-03-31 

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充電器mos管,KIA5N50HD參數

原廠優(yōu)質現貨KIA5N50HD場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流5A,用先進的溝槽技術生產,低導通電阻RDS(導通) 1.0Ω,最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗,提高效率;具有低柵極電荷,開關速度快以及在峰值電流或脈沖寬度方面表現出卓越的性能,高效穩(wěn)定,符合RoHS環(huán)保要求,專用于HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中,封裝形式:TO-252,散熱出色。

詳細參數:

漏源電壓:500V

漏極電流:5A

導通電阻:1.0Ω

柵源電壓:±20V

單脈沖雪崩能量:260MJ

功率耗散:100W

閾值電壓:2-4V

總柵極電荷:14nC

輸入電容:525PF

輸出電容:64PF

反向傳輸電容:12PF

開通延遲時間:9nS

關斷延遲時間:30nS

上升時間:11ns

下降時間:16ns

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聯系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

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