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信息來源:本站 日期:2026-03-31 

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充電器mos管,KIA5N50HD參數(shù)

原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KIA5N50HD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V,漏極電流5A,用先進(jìn)的溝槽技術(shù)生產(chǎn),低導(dǎo)通電阻RDS(導(dǎo)通) 1.0Ω,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,最小化開關(guān)損耗,提高效率;具有低柵極電荷,開關(guān)速度快以及在峰值電流或脈沖寬度方面表現(xiàn)出卓越的性能,高效穩(wěn)定,符合RoHS環(huán)保要求,專用于HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中,封裝形式:TO-252,散熱出色。

詳細(xì)參數(shù):

漏源電壓:500V

漏極電流:5A

導(dǎo)通電阻:1.0Ω

柵源電壓:±20V

單脈沖雪崩能量:260MJ

功率耗散:100W

閾值電壓:2-4V

總柵極電荷:14nC

輸入電容:525PF

輸出電容:64PF

反向傳輸電容:12PF

開通延遲時(shí)間:9nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:30nS

上升時(shí)間:11ns

下降時(shí)間:16ns

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聯(lián)系方式:鄒先生

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