原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KNY3303A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，?采用先進(jìn)的平面...原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KNY3303A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，?采用先進(jìn)的平面條形DMOS技術(shù)生產(chǎn)，極低導(dǎo)通電阻RDS(導(dǎo)通) 3.1mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損...
電源電壓大于穩(wěn)壓二極管D1電壓Vref+三極管導(dǎo)通電壓（0點(diǎn)幾伏）時(shí)，Q1導(dǎo)通，R4上...電源電壓大于穩(wěn)壓二極管D1電壓Vref+三極管導(dǎo)通電壓（0點(diǎn)幾伏）時(shí)，Q1導(dǎo)通，R4上端電壓為電源電壓減去三極管導(dǎo)通電壓。Q2是P-MOS，就不導(dǎo)通了；否則，Q1不導(dǎo)通，R4...
12V電壓經(jīng)10V穩(wěn)壓二極管時(shí)，因二極管正向壓降特性，兩端電壓被穩(wěn)定至10V，剩余...12V電壓經(jīng)10V穩(wěn)壓二極管時(shí)，因二極管正向壓降特性，兩端電壓被穩(wěn)定至10V，剩余2V壓差使MOS管柵極與源極間形成足夠驅(qū)動(dòng)能力，促使MOS管導(dǎo)通。此過程實(shí)現(xiàn)將12V電壓穩(wěn)...
原廠優(yōu)質(zhì)車規(guī)級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管KAND3404R漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)溝槽...原廠優(yōu)質(zhì)車規(guī)級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管KAND3404R漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(導(dǎo)通) 5.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有...
穩(wěn)壓電源正常輸出電壓為12.2V，當(dāng)穩(wěn)壓電路異常使輸出電壓升高至超過15V時(shí)，穩(wěn)壓...穩(wěn)壓電源正常輸出電壓為12.2V，當(dāng)穩(wěn)壓電路異常使輸出電壓升高至超過15V時(shí)，穩(wěn)壓二極管VD2反向擊穿導(dǎo)通，單向可控硅VS控制極得到觸發(fā)電流而導(dǎo)通，迫使5A熔斷器FU迅...
當(dāng)輸入電壓低于穩(wěn)壓二極管D1的擊穿電壓（5.1V）時(shí)： 穩(wěn)壓二極管D1：不導(dǎo)通，Q...當(dāng)輸入電壓低于穩(wěn)壓二極管D1的擊穿電壓（5.1V）時(shí)： 穩(wěn)壓二極管D1：不導(dǎo)通，Q2的基極通過R1被拉到Vin。 三極管Q2：基極和發(fā)射極同電位，Vbe = 0V，Q2不導(dǎo)通。 ...
