充電防倒灌電路,防倒灌電路圖分享-KIA MOS管

充電防倒灌電路

充電防倒灌電路是防止電流從負(fù)載（如電池）反向流回充電器或電源，以避免損壞充電器內(nèi)部的精密電路。這種反向電流被稱(chēng)為“倒灌”或“回流”，在電源斷電、電壓切換或負(fù)載具有儲(chǔ)能元件（如電容、電感）時(shí)極易發(fā)生。

雙MOS管背靠背架構(gòu)是目前在電池充放電、電源自動(dòng)切換等系統(tǒng)中廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方案，適用于高效率、大電流場(chǎng)景。

正常供電時(shí)：兩個(gè)PMOS管的柵極被拉低，兩個(gè)管子同時(shí)導(dǎo)通，電流從輸入端流向輸出端，內(nèi)阻極小，能量損耗低。

防止倒灌時(shí)：當(dāng)輸出端電壓高于輸入端（如電池電壓倒灌），電流試圖通過(guò)MOS管內(nèi)部的體二極管反向流動(dòng)。由于兩個(gè)MOS管的體二極管是反向串聯(lián)的，即使第一個(gè)二極管導(dǎo)通，也會(huì)被第二個(gè)二極管完全阻斷，從而徹底切斷反向通路，保護(hù)前級(jí)電路。

雙MOS防倒灌電路圖

使用兩個(gè)MOS管（一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS）構(gòu)建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的漏極，NMOS的源極接地。當(dāng)電源正向供電時(shí)，PMOS導(dǎo)通，NMOS截止；反向時(shí)，PMOS截止，NMOS導(dǎo)通，形成保護(hù)。這種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，適用于多種電壓等級(jí)的電源系統(tǒng)中。在設(shè)計(jì)時(shí)，要注意MOS管的耐壓和電流承載能力，確保電路的穩(wěn)定性和安全性。

5V防倒灌電路圖

保證在充電器給電池充電時(shí)，可以正常充電；在充電器拔下，只剩電池時(shí)，電池電壓不會(huì)在直接到電池充電口，起到防倒灌作用。

采用雙PNP三極管和PMOS管構(gòu)成，還有采樣電阻和電流檢測(cè)芯片。

充電器充電時(shí)：三極管Q26.1和三極管Q26.2柵極是連接GND所以是低電平，兩個(gè)三極管導(dǎo)通。三極管Q26.1導(dǎo)通后，充電器電壓等于三極管Q26.1上電壓和R1電壓，兩者分壓，導(dǎo)致三極管Q26.1的C端電壓很高，而且三極管Q26.1的C端和三極管Q26.1和三極管26.2的B端相連，導(dǎo)致兩個(gè)三極管都關(guān)閉。此時(shí)PMOS管的G端電壓為低，PMOS管導(dǎo)通，充電器開(kāi)始充電。

充電器拔下時(shí)：三極管Q26.1和三極管Q26.2柵極是連接GND所以是低電平，兩個(gè)三極管導(dǎo)通。三極管Q26.2導(dǎo)通后，電池電壓等于三極管Q26.2上電壓和R1電壓，兩者分壓，導(dǎo)致三極管Q26.2的e端電壓很高，此時(shí)PMOS管的G端電壓為高，PMOS管一直處于關(guān)閉狀態(tài)。防止電池電壓到充電口。

USB防倒灌電路圖

在使用USB單獨(dú)供電時(shí)，上電瞬間U1的2腳及三極管的基極是低電平，此時(shí)U1的左側(cè)的三極管導(dǎo)通，導(dǎo)通后2、5、6腳為高電平，右側(cè)的三極管的基極為高電平三極管截至，3腳保持低電平，進(jìn)而Q1管子導(dǎo)通，5V_IN近似為USB端口的電壓。

在使用5V_IN供電時(shí)，上電瞬間U1右側(cè)的三極管導(dǎo)通，此時(shí)3腳為高電平，Q1呈截至狀態(tài)，進(jìn)而防止5V_IN輸入到5V_USB。

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