充電器mos管,1500v場效應(yīng)管,1500v9a,?KNM48150A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-01-22
KNM48150A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.8Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有低反向傳輸電容，開關(guān)速度快，快速恢復(fù)體二極管，在適配器、充電器、SMPS備用電源等應(yīng)用中高效穩(wěn)定可靠；封裝形式：TO-247，散熱良好。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：1500V
漏極電流：9A
導(dǎo)通電阻：2.8Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：36A
雪崩能量單脈沖：450MJ
總功耗：320W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：68nC
輸入電容：3385PF
輸出電容：176PF
反向傳輸電容：54.6PF
開通延遲時間：65nS
關(guān)斷延遲時間：82nS
上升時間：186ns
下降時間：114ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
