直流過(guò)壓保護(hù)電路,過(guò)壓保護(hù)電路圖-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2026-03-25
Vin < 5.1V
當(dāng)輸入電壓低于穩(wěn)壓二極管D1的擊穿電壓（5.1V）時(shí)：
穩(wěn)壓二極管D1：不導(dǎo)通，Q2的基極通過(guò)R1被拉到Vin。
三極管Q2：基極和發(fā)射極同電位，Vbe = 0V，Q2不導(dǎo)通。
MOSFET Q1：柵極通過(guò)R3拉到地，Vgs = 0V - Vin = -Vin（負(fù)值），P溝道MOSFET導(dǎo)通。
輸出：Vout = Vin，正常向負(fù)載供電。
5.1V ≤ Vin < 5.7V
以Vin = 5.4V為例：
D1：導(dǎo)通，將Q2基極電壓鉗位在5.1V。
Q2：Vbe = 5.1V - 5.4V = -0.3V，PNP三極管需Vbe < -0.6V才導(dǎo)通，因此Q2仍不導(dǎo)通。
Q1：柵極仍通過(guò)R3拉到地，Vgs = 0V - 5.4V = -5.4V，Q1導(dǎo)通。
輸出：Vout = 5.4V，正常供電。
Vin ≥ 5.7V
以Vin = 5.8V為例，存在以下電流路徑：
紅色路徑：通過(guò)R1和D1。R1兩端電壓為5.8V - 5.1V = 0.7V，若R1 = 1kΩ，電流約為0.7mA。
粉色路徑：Q2的Vbe = 5.1V - 5.8V = -0.7V，低于-0.6V，Q2導(dǎo)通并飽和。
藍(lán)色路徑：Q2導(dǎo)通后，Q1柵極被拉到接近Vin，假設(shè)Q2飽和時(shí)Vce ≈ 0.2V，柵極電壓約為5.6V。若R3 = 4.7kΩ，電流約為5.6V / 4.7kΩ ≈ 1.19mA。
此時(shí)，Q1的Vgs ≈ 0V，P溝道MOSFET關(guān)閉，Vout斷開(kāi)，保護(hù)負(fù)載。
對(duì)于非5V系統(tǒng)（如12V），可以通過(guò)更換穩(wěn)壓二極管、調(diào)整電阻和確保Q1和Q2支持更高電壓和電流的方式可適應(yīng)不同電壓需求，為電子設(shè)計(jì)提供靈活保護(hù)。
當(dāng)輸入電壓高于7.78V穩(wěn)壓二極管擊穿，R2-D4支路導(dǎo)通。
D4-R4電路導(dǎo)通，拉低Q11 PNP三極管基極到GND,使三極管導(dǎo)通。
VCC_BAT電壓由三極管的發(fā)射極流向集電極。
因Q11-R9支路導(dǎo)通，使SI2301P-MOS晶體管的柵極（G）為高電平，晶體管截止。
因?yàn)榫w管截止，就導(dǎo)致Q1位置開(kāi)路，從而切斷系統(tǒng)的輸入電壓。
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