10N65F參數(shù),?10n65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),650v10a mos-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2026-02-04
KIA10N65HF場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.65Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷(典型48nC)，高效低耗；具有快速切換、指定的雪崩能量以及改進(jìn)的DV/DT功能，穩(wěn)定可靠，提高開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度，廣泛應(yīng)用于高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，如高效開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能電源；封裝形式：TO-220F。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
導(dǎo)通電阻：0.65Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：709MJ
功率耗散：52W
總柵極電荷：48nC
輸入電容：1650PF
輸出電容：1665PF
反向傳輸電容：18PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：25nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：140nS
上升時(shí)間：70ns
下降時(shí)間：80ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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